创飞芯源申请深沟槽场效应晶体管及其制备方法专利，有效降低器件的导通电阻

金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市创飞芯源半导体有限公司申请一项名为“深沟槽场效应晶体管及其制备方法”的专利，公开号 CN 119789460 A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明提供一种深沟槽场效应晶体管及其制备方法，包括：在衬底中形成沟槽；在沟槽中填充绝缘层；去除沟槽顶部的绝缘层，以形成第一槽部；刻蚀绝缘层，以在绝缘层中形成与第一槽部连通的第二槽部；在第一槽部的侧壁形成栅介质层；在第一槽部和第二槽部中填充栅极层；在衬底上形成隔离层，并在隔离层和衬底中形成接触孔；在接触孔和隔离层上形成上金属层。器件在正向导通时，可以在绝缘层侧壁形成电子积累层从而有效降低器件的导通电阻。栅极层仅需通过一次沉积工艺就可以同时填充第一槽部和第二槽部，可以有效节省工艺成本。

天眼查资料显示，深圳市创飞芯源半导体有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2247.191万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市创飞芯源半导体有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息11条，专利信息10条，此外企业还拥有行政许可6个。

本文源自：金融界

作者：情报员