湖北星辰申请半导体结构及其制作方法专利，实现半导体结构优化

金融界 2025 年 5 月 2 日消息，国家知识产权局信息显示，湖北星辰技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法”的专利，公开号 CN119905469A，申请日期为 2025 年 1 月。

专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法，所述半导体结构包括：半导体层，以及至少位于所述半导体层上的器件结构；所述器件结构包括位于所述半导体层上的接触结构；第一连接结构，位于所述接触结构靠近所述半导体层的一侧、且贯穿所述半导体层；所述第一连接结构与所述接触结构耦接；其中，所述第一连接结构至少包括沿厚度方向延伸的第一子连接结构以及第二子连接结构，所述第一子连接结构与所述第二子连接结构之间具有间隙。

天眼查资料显示，湖北星辰技术有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本2935.8218万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北星辰技术有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目28次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息58条，此外企业还拥有行政许可16个。

本文源自：金融界

作者：情报员