纽富来科技申请 SiC 外延生长装置的副产物除去方法专利，能除去 SiC 外延生长装置的副产物

金融界 2025 年 4 月 16 日消息，国家知识产权局信息显示，纽富来科技股份有限公司申请一项名为“SiC 外延生长装置的副产物除去方法”的专利，公开号 CN 119824530 A，申请日期为 2020 年 4 月。

专利摘要显示，一实施方式涉及的 SiC 外延生长装置具备：腔室，其中被导入至少含有硅及碳的工艺气体，且能够收纳通过工艺气体来成膜的基板；配管，其将含有伴随基板的成膜而生成的副产物的气体从腔室排出；和压力控制用的阀，其设置于配管的中途。阀具有：气体从将腔室与阀连通的配管的上游部分流入的流入口、和使气体朝经由阀而与上游部分连通的配管的下游部分流出的流出口。至少在比流入口低的位置设置上游部分的一部分，或在比流出口低的位置设置下游部分的一部分。

本文源自：金融界

作者：情报员