通威微电子申请沟槽结势垒肖特基二极管制作方法专利，提高器件正向浪涌电流处理能力

金融界2025年4月19日消息，国家知识产权局信息显示，通威微电子有限公司申请一项名为“一种沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法”的专利，公开号 CN119855170A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本申请提供了一种沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法，涉及半导体技术领域。包括N型外延片；位于N型外延片表层的终端区与有源区；其中，有源区包括多个P柱，多个P柱之间间隔设置，且每个P柱的表面均设置有沟槽区，沟槽区内设置有欧姆接触层、阻挡金属层以及第一金属层，欧姆接触层与沟槽区的底部及侧壁接触，阻挡金属层位于欧姆接触层与第一金属层之间；位于第一金属层内与第一金属层表面的电流分散结构，电流分散结构用于在出现浪涌电流时，将浪涌电流分散至沟槽区的两侧；位于终端区表面的钝化保护层；位于有源区表面的第二金属层以及位于外延片背面的第三金属层。本申请具有提高器件正向浪涌电流处理能力与器件可靠性及鲁棒性的优点。

天眼查资料显示，通威微电子有限公司，成立于2021年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本85000万人民币。通过天眼查大数据分析，通威微电子有限公司参与招投标项目14次，专利信息276条，此外企业还拥有行政许可12个。

本文源自：金融界

作者：情报员