长光华芯申请一种高功率高效率单模半导体发光结构及其制备方法专利，提升单模半导体发光结构的功率和效率

金融界2025年4月17日消息，国家知识产权局信息显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司、苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司申请一项名为“一种高功率高效率单模半导体发光结构及其制备方法”的专利，公开号CN 119834061 A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明提供一种高功率高效率单模半导体发光结构及其制备方法，高功率高效率单模半导体发光结构包括：沿第一方向排布的第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜，第一布拉格反射镜的反射率大于第二布拉格反射镜的反射率；位于第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜之间沿第一方向排布的多个有源层、以及电流限制层；电流限制层包括出光区和环绕出光区的氧化区；隧道结，位于相邻的有源层之间；调制层，位于第二布拉格反射镜背离有源层的一侧，调制层包括第一微结构区和环绕第一微结构区的第二微结构区，其中，第一微结构区沿第一方向在出光区的第一部分上具有投影，第二微结构区沿第一方向在出光区的第二部分上具有投影，第二部分环绕第一部分。

天眼查资料显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本17627.9943万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州长光华芯光电技术股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目64次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息268条，此外企业还拥有行政许可15个。

本文源自：金融界

作者：情报员