深圳市晶相技术申请功率器件专利，可改善集成功率器件的质量

金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市晶相技术有限公司申请一项名为“一种功率器件及其应用与制造方法”的专利，公开号CN 119789461 A，申请日期为2021年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一

种功率器件及其应用与制造

方法，所述功率器件包括：衬

底；沟道层，设置在所述衬底

上；势垒层，设置在所述沟道层上；第一氮化镓层，设置在所述

势垒层上，且覆盖所述势垒层；第二氮化镓层，设置在所述第一

氮化镓层上；第三氮化镓层，设置在所述第二氮化镓层上；第一

漏极，设置在所述第三氮化镓层上；第一源极，设置在所述第三

氮化镓层上，且所述第一源极和所述第一漏极之间形成凹部；

以及第一栅极，设置在所述势垒层上，且所述第一栅极覆盖所

述凹部，以及所述第一源极和所述第一漏极靠近所述凹部的顶

部；其中，所述第二氮化镓层和所述第三氮化镓层位于所述源

极和所述漏极与所述势垒层之。通过本发明提供的一种功率器

件，可改善集成功率器件的质量。

天眼查资料显示，深圳市晶相技术有限公司，成立于2015年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5000万人民币，实缴资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市晶相技术有限公司共对外投资了4家企业，财产线索方面有商标信息6条，专利信息117条，此外企业还拥有行政许可7个。

本文源自：金融界

作者：情报员