无锡市乾野微纳科技申请集成MOSFET模块及冷却组件专利，确保对电子元件的冷却效果

金融界2025年4月22日消息，国家知识产权局信息显示，无锡市乾野微纳科技有限公司申请一项名为“一种大功率应用的集成MOSFET模块及冷却组件”的专利，公开号 CN119852260A，申请日期为 2025 年 3 月。

专利摘要显示，本发明涉及电力电子技术领域，具体地说，涉及一种大功率应用的集成MOSFET模块及冷却组件。其包括封装壳体，封装壳体包括由上而下呈平行设置的上层隔离板、中层隔离板、下层隔离板以及设置于中层隔离板上的电路结构。本发明中，电子元件直接与上层隔离板接触，而电子元件的两面分别与导热硅脂接触，从而增加了导热面积，在电路工作时，电子元件产生的热量会直接通过上层隔离板以及通过导热硅脂间接传导至上层隔离板、下层隔离板，氮化铝材质的上层隔离板、中层隔离板、下层隔离板、固定屏蔽板、活动屏蔽板具有优异的电绝缘性和导热性能，能够及时将热量导出并散发掉，从而确保对电子元件的冷却效果。

天眼查资料显示，无锡市乾野微纳科技有限公司，成立于2019年，位于无锡市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡市乾野微纳科技有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息4条，专利信息33条，此外企业还拥有行政许可8个。

本文源自：金融界

作者：情报员