杭州富芯申请半导体结构及其制备方法专利，简化工艺步骤降低成本

金融界2025年4月26日消息，国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN119864338A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，半导体结构包括：衬底结构；衬底结构包括图形化的衬底、以及位于衬底上表面的层间介质层；层间介质层内设置有接触孔；薄膜电阻器，位于层间介质层上；薄膜电阻器的两端分别通过接触孔，与图形化的衬底形成欧姆接触；第一金属层，位于层间介质层上，且设置在薄膜电阻器的两侧；第一金属层分别通过接触孔，与图形化的衬底形成欧姆接触；金属互连层，覆盖第一金属层、薄膜电阻器以及部分层间介质层。上述结构在制备薄膜电阻器的过程仅需一次干法刻蚀，且无需在薄膜电阻器的表面制备接触孔刻蚀停止层，从而简化了制备具有薄膜电阻器的半导体结构的工艺步骤，降低了成本。

天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息284条，此外企业还拥有行政许可16个。

本文源自：金融界

作者：情报员