珠海格力申请一种沟槽型金氧半场效应晶体管及其制造方法专利，降低晶体管的沟槽拐角处对栅组件的栅氧化层造成损伤的风险

金融界2025年4月19日消息，国家知识产权局信息显示，珠海格力电器股份有限公司申请一项名为“一种沟槽型金氧半场效应晶体管及其制造方法”的专利，公开号CN119815878A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种沟槽型金氧半场效应晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域。其包括外延基底、栅组件以及第一埋层，外延基底具有一外延表面，由外延表面向内设置有多级沟槽，多级沟槽包括第一沟槽和第二沟槽，且外延基底采用N型离子掺杂。栅组件包括两个栅极，且两个栅极分布于第二沟槽的两侧。第一埋层位于多级沟槽的底部且向外延基底内延伸设置，第一埋层为P型离子掺杂结构，且P型离子的掺杂浓度大于外延基底的N型离子的掺杂浓度。晶体管在承担反向耐压时，第一埋层与外延基底之间形成内建电场，且由于第一埋层的浓度较大，电场拓展速率慢，从而降低晶体管的沟槽拐角处对栅组件的栅氧化层造成损伤的风险。

天眼查资料显示，珠海格力电器股份有限公司，成立于1989年，位于珠海市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本601573.0878万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海格力电器股份有限公司共对外投资了100家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可825个。

本文源自：金融界

作者：情报员