中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，降低器件鳍部发生弯曲问题的概率

金融界2025年4月18日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“112.半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN119815913A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括衬底，衬底包括隔断区和器件区；器件鳍部，位于器件区的衬底上，隔离鳍部，位于隔断区的衬底上。本发明采用隔离鳍部替代了位于隔断区的器件鳍部，因而省去了现有技术中在形成器件鳍部之后去除隔断区器件鳍部的步骤，避免了去除器件鳍部的工艺对剩余器件鳍部的应力作用，从而降低了所述器件鳍部发生鳍部弯曲问题的概率。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目117次，财产线索方面有商标信息147条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。

本文源自：金融界

作者：情报员