上海积塔半导体申请半导体器件等专利，可提升半导体器件的生产良率和使用可靠性

金融界2025年4月28日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体器件、半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN119866047A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件、半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供衬底，衬底上形成有多晶硅栅极结构；于衬底上形成硅氧化物保护层，硅氧化物保护层随形覆盖多晶硅栅极结构。该半导体结构的制备方法可以避免多晶硅栅极结构受到损害，有利于提升半导体器件的生产良率和使用可靠性。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1791次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1027条，此外企业还拥有行政许可191个。

本文源自：金融界

作者：情报员