抢占 AI 存储市场下一风口, 消息称三星电子已启动 HBF 闪存开发

IT之家10月3日消息，韩媒fnnews当地时间1日表示，三星电子已着手开展HBF高带宽闪存产品的概念设计等前期开发工作，计划针对AI数据中心对于高速存储介质的需求开发新产品。由于目前尚属初期，具体产品规格及量产时间尚无法确认。

目前几大NAND闪存原厂对于HBF高带宽闪存的理解主要有两个流派，一是闪迪提出、得到SK海力士支持的“NAND版HBM”，二是铠侠此前展示的“多TB超大容量高速PCIe设备”，报道并未确认三星选择了哪个开发方向。

对于大规模AI推理部署而言，传统的固态硬盘形态一般NAND存储难以满足高速输出的需求，三星电子目前持有的Z-NAND技术有望在介于常规NAND和DRAM之间的MLS/SLM层级发挥独特价值。