长鑫科技申请半导体结构及其制备方法专利，简化字线结构制造工艺难度

金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN 119789423 A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构的制备方法包括：形成位于衬底上的叠层结构；在叠层结构中形成第一隔离结构、牺牲结构和填充层，图形化第一半导体层以形成阵列排布的初始有源图案，第一隔离结构包括第一隔离部和第二隔离部，第一隔离部沿第二方向的尺寸大于第二隔离部沿第二方向的尺寸，沿第二方向相邻的第一隔离部相接触；去除部分填充层并形成初始字线层；去除牺牲结构以分别形成位线槽和电容槽，图形化初始有源图案为有源结构，图形化初始字线层为字线结构；在位线槽和电容槽中分别形成位线结构和电容结构，位线结构和电容结构在第一方向上交替排布且在第二方向上交替排布。上述半导体结构的制备方法简化了字线结构的制造工艺难度。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币，实缴资本5363300万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1089次，财产线索方面有商标信息221条，专利信息343条，此外企业还拥有行政许可28个。

本文源自：金融界

作者：情报员