意发功率半导体申请具有优化栅结构的 GAN HEMT 器件及其制备方法专利，有效提高了器件的最高振荡频率 fmax

金融界 2025 年 4 月 18 日消息，国家知识产权局信息显示，德兴市意发功率半导体有限公司申请一项名为“一种具有优化栅结构的 GAN HEMT 器件及其制备方法”的专利，公开号 CN119815869A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种具有优化栅结构的 GAN HEMT 器件及其制备方法，该器件包括衬底、外延层、栅极、栅极场板、源极和漏极，所述衬底为 SiC 衬底，所述外延层采用了由上至下依次层叠的 InAlN 势垒层、AIN 插入层、GaN 沟道层和渐变 Al 组分的 AlGaN 层，栅极采用了 AlGaN/GaN 异质结材料，栅极场板设置在栅极的上方，漏极和源极位于栅极的两侧。采用本发明结构的 GAN HEMT 器件有效抑制了短沟道效应，提高了器件的频率特性和击穿电压。在保证器件直流特性不受太大影响的前提下，有效提高了器件的最高振荡频率 fmax。

天眼查资料显示，德兴市意发功率半导体有限公司，成立于2018年，位于上饶市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3463.2994万人民币。通过天眼查大数据分析，德兴市意发功率半导体有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息62条，此外企业还拥有行政许可42个。

本文源自：金融界

作者：情报员