应用材料公司申请 3D NAND 结构中的字线侧壁接触专利，提升存储器性能

金融界 2025 年 5 月 1 日消息，国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“3D NAND 结构中的字线侧壁接触”的专利，公开号 CN119896061A，申请日期为 2023 年 8 月。

专利摘要显示，一种三维(3D)NAND 存储器结构可包括以垂直堆叠布置的材料层，所述垂直堆叠包括交替的水平绝缘层及字线层。材料层可经蚀刻以形成着陆垫。垂直字线可穿过着陆垫下面的一或多个水平字线层延伸。垂直字线可导电连接到顶部水平字线，并且垂直字线可与垂直字线在顶部水平字线下面延伸穿过的水平字线的任一者绝缘。衬垫亦可在着陆垫处的顶部水平字符线上方形成。

本文源自：金融界

作者：情报员